บ้าน สินค้า ออปโตคัปเปลอร์ โฟโต้ทรานซิสเตอร์ออปโตคัปเปลอร์ ออปโตคัปเปลอร์ทรานซิสเตอร์เกรดยานยนต์ OR-3H7-(CG)-EN-V1

สินค้า

สินค้าใหม่

Automotive Grade Transistor Optocoupler OR-3H7-(CG)-EN-V1

ออปโตคัปเปลอร์ทรานซิสเตอร์เกรดยานยนต์ OR-3H7-(CG)-EN-V1

อุปกรณ์ซีรีส์ OR-3H7-(CG) มีไฟ LED อินฟราเรดและเครื่องตรวจจับโฟโต้ทรานซิสเตอร์ ซึ่งถูกห่อหุ้มไว้ใน SOP 4 พิน ปราศจากฮาโลเจนและ Sb2O 3

ส่งคำถาม

รายละเอียดสินค้า

ทรานซิสเตอร์ออปโตคัปเปลอร์

คุณลักษณะ

อัตราการถ่ายโอนปัจจุบัน (CTR) : MIN 50% ที่ IF = 5mA, VCE = 5V, Ta=25 ℃
แรงดันไฟฟ้าแยกอินพุต-เอาต์พุตสูง (VISO=3,750Vrms)
แรงดันไฟฟ้าของตัวสะสมและตัวปล่อย: 80V(MIN)
อุณหภูมิในการทำงาน :-55 ℃ ถึง 125 ℃
ESD ผ่าน HBM 8000V/MM 2000V
การอนุมัติด้านความปลอดภัย
UL ได้รับการอนุมัติ (หมายเลข E323844)
อนุมัติ VDE (No.40029733)
อนุมัติ CQC (No.CQC19001231254)
AEC-Q101 ผ่านการรับรอง
เป็นไปตาม RoHS มาตรฐาน REACH
คลาส MSL Ⅰ

คำแนะนำ

อุปกรณ์ซีรีส์ OR-3H7-(CG) มีไฟ LED อินฟราเรดและเครื่องตรวจจับทรานซิสเตอร์ภาพถ่าย ซึ่งถูกห่อหุ้มไว้ใน SOP 4 พิน ปราศจากฮาโลเจนและ Sb 2 O 3

ช่วงการสมัคร

พื้นผิว PCB แบบผสมที่ต้องการการติดตั้งที่มีความหนาแน่นสูง
ตัวควบคุมแบบตั้งโปรแกรมได้
เครื่องมือระบบและเครื่องมือวัด

ค่าพิกัดสัมบูรณ์สูงสุด (อุณหภูมิปกติ=25℃)

พารามิเตอร์		สัญลักษณ์	ค่าพิกัด	หน่วย
อินพุต	ส่งต่อปัจจุบัน	ถ้า	50	มิลลิแอมป์
	กระแสไฟไปข้างหน้าสูงสุด (t=10us)	ไอเอฟเอ็ม	1	อ
	แรงดันย้อนกลับ	VR	6	วี
	การสูญเสียพลังงาน	พี	70	มิลลิวัตต์
	อุณหภูมิทางแยก	เจ	125	℃
เอาต์พุต	แรงดันไฟฟ้าของตัวสะสมและตัวปล่อย	VCEO	80	วี
	แรงดันไฟฟ้าของตัวส่งและตัวสะสม	เวโก	7	วี
	กระแสสะสม	ไอซี	50	มิลลิแอมป์
	การสูญเสียพลังงาน	พีซี	150	มิลลิวัตต์
	อุณหภูมิทางแยก	เจ	125	℃
การสูญเสียพลังงานทั้งหมด		ปตท	200	มิลลิวัตต์
*1 แรงดันฉนวน		วิโซ	3750	VRMS
แรงดันฉนวนอิมพัลส์พิกัดที่กำหนด		วิออร์ม	630	วี
อุณหภูมิในการทำงาน		ท็อปอาร์	-55 ถึง + 125	℃
อุณหภูมิในการจัดเก็บ		กำหนด	-55 ถึง + 150
*2 อุณหภูมิการบัดกรี		โซล	260

*1. AC เป็นเวลา 1 นาที RH = 40 ~ 60%

แรงดันไฟฟ้าแยกจะต้องวัดโดยใช้วิธีการต่อไปนี้

ลัดวงจรระหว่างแอโนดและแคโทดที่ด้านปฐมภูมิ และระหว่างตัวสะสมและตัวปล่อยที่ด้านทุติยภูมิ
ต้องใช้เครื่องทดสอบแรงดันไฟฟ้าแยกที่มีวงจรซีโรครอส
รูปคลื่นของแรงดันไฟฟ้าที่ใช้ต้องเป็นคลื่นไซน์

*2.เวลาในการบัดกรีคือ 10 วินาที

ลักษณะออปโตอิเล็กทรอนิกส์ (อุณหภูมิปกติ=25℃)

พารามิเตอร์		สัญลักษณ์	ขั้นต่ำ	ประเภท*	สูงสุด	หน่วย	สภาพ
อินพุต	แรงดันไปข้างหน้า	VF	---	1.2	1.4	วี	ถ้า=20mA
	กระแสย้อนกลับ	อินฟราเรด	---	---	5	ไมโครเอ	VR=5V
	ความจุของเทอร์มินัล	กะรัต	---	30	250	pF	V=0, f=1KHz
เอาต์พุต	กระแสมืดสะสม	ไอซีโอ	---	---	100	ไม่มี	VCE=20V ถ้า=0mA
	แรงดันพังทลายของคอลเลกเตอร์-อิมิตเตอร์	BVCEO	80	---	---	วี	ไอซี=0.1mA ถ้า=0mA
	แรงดันพังทลายของตัวส่ง-ตัวสะสม	บีวีโก	7	---	---	วี	IE=0.1mA IF=0mA
ลักษณะการเปลี่ยนแปลง	*1 อัตราการถ่ายโอนปัจจุบัน	CTR	50	---	600	%	ถ้า=5mA VCE=5V
	กระแสสะสม	ไอซี	2.5	---	30	มิลลิแอมป์	ถ้า=5mA VCE=5V
	แรงดันอิ่มตัวของตัวสะสม-ตัวส่งสัญญาณ	VCE (วันเสาร์)	---	---	0.3	วี	ถ้า=8mA IC= 2.4mA
	ความต้านทานของฉนวน	ริโซ	5×1,010	1×1011	---	Ω	DC500V 40~60%RH
	ความจุลอยตัว	อ้างอิง	---	0.6	1	pF	V=0, f=1MHz
	เวลาตอบสนอง	ตร	---	3	18	ไมโครวินาที	VCE=10V ไอซี=2mA RL=100Ω
	เวลาลง	ถึง	---	4	18	ไมโครวินาที	VCE=10V ไอซี=2mA RL=100Ω

อัตราการแปลงปัจจุบัน = IC / IF × 100%

ตารางอันดับของอัตราส่วนการโอนปัจจุบัน CTR

หมายเลขรุ่น	อันดับ CTR	ขั้นต่ำ	สูงสุด	สภาพ	หน่วย
หรือ-3H7	อ	80	160	ถ้า=5mA, VCE=5V, ตา=25℃	%
	ข	130	260
	ค	200	400
	ง	300	600
	ไม่มีเครื่องหมาย	50	600
	อัล	100	200	ถ้า=0.5mA, VCE=5V, ตา=25℃
	บีแอลแอล	200	400	ถ้า=0.5mA, VCE=5V, ตา=25℃
	กิกะไบต์	100	600	ถ้า=5mA, VCE=5V, ตา=25℃
	กิกะไบต์	100	600	ถ้า=0.5mA, VCE=5V, ตา=25℃

อัตราการแปลงปัจจุบัน = IC / IF × 100%

หรือ -3H7X-W-Y-Z-(CG)

หมายเหตุ

X = อันดับ CTR (A , บี , C, D, AL, BLL, GB หรือไม่มีเลย)

W = ตัวเลือกเทปและม้วน (TP หรือ TP1)

Y = รหัส 'V' เพื่อความปลอดภัย VDE (ตัวเลือกนี้ไม่จำเป็น) รหัส Z = 'G' สำหรับปราศจากฮาโลเจน

CG = รหัสฟิลด์

* สามารถเลือกรหัส VDE ได้

ตัวเลือก	คำอธิบาย	ปริมาณการบรรจุ
TP	รูปแบบตะกั่วแบบยึดบนพื้นผิว (โปรไฟล์ต่ำ) + ตัวเลือกเทปและม้วน TP	3000 หน่วยต่อม้วน
TP1	รูปแบบตะกั่วแบบยึดบนพื้นผิว (แบบต่ำ) + ตัวเลือกเทปและรอก TP1	3000 หน่วยต่อม้วน

ผู้ผลิต : โอเรียนท์.
หมายเลขชิ้นส่วน : 3H7.
รหัสอันดับ ： อันดับ CTR
รหัสปี ： '21' หมายถึง '2021' และอื่นๆ
รหัสสัปดาห์ ： 01 หมายถึงสัปดาห์แรก 02 หมายถึงสัปดาห์ที่สองและอื่นๆ
รหัส VDE (ไม่บังคับ)
รหัส HF 'G': ปราศจากฮาโลเจน
แอโนด
บัตรประจำตัว

สามารถเลือกรหัส

* VDE ได้

มิติด้านนอก

ออปโตคัปเปลอร์ทรานซิสเตอร์เกรดยานยนต์ OR-3H7-(CG)-EN -V1

รูปแบบการพิมพ์รอยเท้าที่แนะนำ (แผ่นยึด) (หน่วย: มม.)

ออปโตคัปเปลอร์ทรานซิสเตอร์เกรดยานยนต์ OR-3H7-(CG)-EN-V1

ขนาดเทป (1) OR-3H7-TP {0117351

ออปโตคัปเปลอร์ทรานซิสเตอร์เกรดยานยนต์ OR-3H7-(CG)-EN-V1

ประเภท	สัญลักษณ์	ขนาด: มม. (นิ้ว)
แบนด์วิดท์	กว้าง	12±0.3 (0.47)
ระดับเสียง	P0	4±0.1 (0.15)
ระดับเสียง	ฉ	5.5±0.1 (0.217)
ระดับเสียง	P2	2±0.1 (0.079)
ช่วงเวลา	P1	8±0.1 (0.315)

ประเภทการห่อหุ้ม	TP/TP1
จำนวน (ชิ้น)	3000

มิติข้อมูลแพ็กเกจ

ข้อมูลการบรรจุ
ประเภทการบรรจุ	ประเภทรอก
ความกว้างของเทป	12 มม.
จำนวนต่อม้วน	3,000 ชิ้น
ขนาดกล่องเล็ก (ด้านใน)	34534545 มม.
กล่องใหญ่ (ด้านนอก) ขนาด	480x360x360มม.
จำนวนสูงสุดต่อกล่องเล็ก	6,000 ชิ้น
จำนวนสูงสุดต่อกล่องใหญ่	60,000 ชิ้น

ตัวอย่างฉลากบรรจุภัณฑ์

ออปโตคัปเปลอร์ทรานซิสเตอร์เกรดยานยนต์ OR-3H7-(CG)-EN-V1

หมายเหตุ :

1. รหัสวัสดุ :รหัสผลิตภัณฑ์
2. P/N :เนื้อหาที่มี "ข้อมูลคำสั่งซื้อ" ในข้อกำหนด
3. Lot No. :ข้อมูลผลิตภัณฑ์
4. D/C :สัปดาห์ผลิตภัณฑ์
5. ปริมาณ :ปริมาณบรรจุภัณฑ์

การทดสอบความน่าเชื่อถือ

โปรไฟล์อุณหภูมิของการบัดกรี

การบัดกรีแบบรีโฟลว์แบบ IR (เป็นไปตามมาตรฐาน JEDEC-STD-020C)

แนะนำให้ใช้การบัดกรีแบบรีโฟลว์ครั้งเดียวภายใต้เงื่อนไขของโปรไฟล์อุณหภูมิและเวลาที่แสดงด้านล่าง อย่าบัดกรีเกินสามครั้ง

รายการโปรไฟล์	เงื่อนไข
เปิดเครื่อง อุณหภูมิต่ำสุด (T Smin ) อุณหภูมิสูงสุด (T Smax ) - เวลา (นาทีถึงสูงสุด) (ts)	150˚C 200˚C 90±30 วินาที 2097}
โซนการบัดกรี - อุณหภูมิ (TL) } {01177777777777351}	217˚C 60 วินาที
อุณหภูมิสูงสุด	260˚C
เวลาอุณหภูมิสูงสุด	20 วินาที
อัตราการเพิ่ม	สูงสุด 3°C / วินาที
อัตราการลาดลงจากอุณหภูมิสูงสุด	3~6˚C / วินาที
เวลาจัดเรียงใหม่	≤3

ออปโตคัปเปลอร์ทรานซิสเตอร์เกรดยานยนต์ OR-3H7-(CG)-EN-V1

การบัดกรีแบบคลื่น (ตามมาตรฐาน JEDEC22A111)

แนะนำให้บัดกรีครั้งเดียวภายใต้สภาวะอุณหภูมิ

อุณหภูมิ เวลา	260+0/-5˚C 10 วินาที
อุณหภูมิอุ่น เวลาอุ่น	25 ถึง 140˚C 30 ถึง 80 วินาที

ทรานซิสเตอร์เกรดยานยนต์ Optocoupler OR-3H7- (CG) -en-V1
92066}

อนุญาตให้มีการบัดกรีตะกั่วเดี่ยวในทุกกระบวนการ แนะนำให้บัดกรีครั้งเดียว

อุณหภูมิ

380+0/-5˚C

เวลา

สูงสุด 3 วินาที

ออปโตคัปเปลอร์ทรานซิสเตอร์เกรดยานยนต์ OR-3H7-(CG)-EN-V1 9101}