บ้าน สินค้า ออปโตคัปเปลอร์ โฟโต้ทรานซิสเตอร์ออปโตคัปเปลอร์ ใช้ออปโตคัปเปลอร์โฟโต้ทรานซิสเตอร์เกรด OR-3H4-EN-V12

สินค้า

สินค้าใหม่

Consume Grade Phototransistor Optocoupler OR-3H4-EN-V12

ใช้ออปโตคัปเปลอร์โฟโต้ทรานซิสเตอร์เกรด OR-3H4-EN-V12

ซีรีส์ OR-3H4-4 ประกอบด้วยอุปกรณ์สี่ช่องสัญญาณ แต่ละคู่ประกอบด้วยไฟ LED อินฟราเรด 2 ตัวและเครื่องตรวจจับโฟโต้ทรานซิสเตอร์หนึ่งตัว

ส่งคำถาม

รายละเอียดสินค้า

ออปโตคัปเปลอร์ในประเทศ

คุณลักษณะ

ใช้โฟโตคัปเปลอร์โฟโตคัปเปลอร์เกรด OR-3H4-EN-V12

อัตราการถ่ายโอนปัจจุบัน (CTR) : MIN 20% ที่ IF = ±1mA, VCE = 5V, Ta=25 ℃
แรงดันไฟฟ้าแยกอินพุต-เอาต์พุตสูง (VISO=3,750Vrms)
BVCEO = 80V(ขั้นต่ำ)
อุณหภูมิในการทำงาน:-55°C ถึง 125°C
ESD ผ่าน HBM 8000V/MM 2000V
การอนุมัติด้านความปลอดภัย
อนุมัติ UL (หมายเลข E323844) อนุมัติ VDE (หมายเลข 40029733)
CQC ได้รับการอนุมัติ (No.CQC19001231256)
เป็นไปตาม RoHS มาตรฐาน REACH
คลาส MSL Ⅰ

ใช้โฟโตคัปเปลอร์โฟโตคัปเปลอร์เกรด OR-3H4-EN-V12

คำแนะนำ

อุปกรณ์ซีรีส์ OR-3H4 มีไฟ LED อินฟราเรด 2 ตัวและเครื่องตรวจจับโฟโต้ทรานซิสเตอร์ ซึ่งห่อหุ้มไว้ใน SOP 4 พิน ปราศจากฮาโลเจนและ Sb2O3

ช่วงการสมัคร

พื้นผิวไฮบริดที่ต้องการการติดตั้งที่มีความหนาแน่นสูง
ตัวควบคุมแบบตั้งโปรแกรมได้
อุปกรณ์ระบบ เครื่องมือวัด

ค่าพิกัดสูงสุดสัมบูรณ์ (อุณหภูมิปกติ=25℃)

พารามิเตอร์		สัญลักษณ์	ค่าพิกัด	หน่วย
อินพุต	ส่งต่อ ปัจจุบัน	ถ้า	50	มิลลิแอมป์
	กระแสไฟไปข้างหน้าสูงสุด (t=10us)	ไอเอฟเอ็ม	1	อ
	แรงดันย้อนกลับ	VR	6	วี
	การสูญเสียพลังงาน	พี	65	มิลลิวัตต์
	อุณหภูมิทางแยก	เจ	125	℃
เอาต์พุต	แรงดันไฟฟ้าของตัวสะสมและตัวปล่อย	VCEO	80	วี
	แรงดันไฟฟ้าของตัวส่งและตัวสะสม	เวโก	7	วี
	กระแสสะสม	ไอซี	50	มิลลิแอมป์
	การสูญเสียพลังงาน	พีซี	150	มิลลิวัตต์
	อุณหภูมิทางแยก	เจ	125	℃
การสูญเสียพลังงานทั้งหมด		ปตท	200	มิลลิวัตต์
*1 แรงดันฉนวน		วิโซ	3750	VRMS
อุณหภูมิในการทำงาน		ท็อปอาร์	-55 ถึง +125	℃
อุณหภูมิในการจัดเก็บ		กำหนด	-55 ถึง +150
*2 อุณหภูมิการบัดกรี		โซล	260

*1. AC เป็นเวลา 1 นาที RH = 40 ~ 60%

จะต้องวัดแรงดันไฟฟ้าแยกโดยใช้วิธีการต่อไปนี้

ลัดวงจรระหว่างแอโนดและแคโทดที่ด้านปฐมภูมิ และระหว่างคอลเลกเตอร์กับตัวปล่อยที่ด้านทุติยภูมิ

ต้องใช้เครื่องทดสอบแรงดันไฟฟ้าแยกที่มีวงจรซีโรครอส

รูปคลื่นของแรงดันไฟฟ้าที่ใช้ต้องเป็นคลื่นไซน์

*2.เวลาในการบัดกรีคือ 10 วินาที

ลักษณะออปโตอิเล็กทรอนิกส์ (อุณหภูมิปกติ=25℃)

พารามิเตอร์		สัญลักษณ์	ขั้นต่ำ	ประเภท*	สูงสุด	หน่วย	สภาพ
อินพุต	แรงดันไปข้างหน้า	วี _ฉ	---	1.2	1.4	วี	ถ้า=±20mA
อินพุต	ความจุของเทอร์มินัล	ค _{เสื้อ}	---	60	---	pF	V=0, f=1KHz
เอาต์พุต	กระแสมืดสะสม	ไอซีโอ	---	---	100	ไม่มี	VCE=20V,IF=0mA
	แรงดันพังทลายของคอลเลกเตอร์-อิมิตเตอร์	BVCEO	80	---	---	วี	ไอซี=0.1mA ถ้า=0mA
	แรงดันพังทลายของตัวส่ง-ตัวสะสม	บีวีโก	7	---	---	วี	IE=0.1mA IF=0mA
	*1 อัตราการถ่ายโอนปัจจุบัน	CTR	20	---	400	%	ถ้า=±1mA VCE=5V
	กระแสสะสม	ไอซี	0.2	---	4	มิลลิแอมป์	ถ้า=±1mA VCE=5V
ลักษณะการเปลี่ยนแปลง	แรงดันอิ่มตัวของตัวสะสม-ตัวส่งสัญญาณ	VCE (วันเสาร์)	---	---	0.3	วี	ถ้า=±8mA IC= 2.4mA
	ความต้านทานของฉนวน	ริโซ	5×10 ¹⁰	1×10 ¹¹	---	Ω	DC500V 40~60%RH
	ความจุลอยตัว	ค _ฉ	---	0.8	1	pF	V=0, f=1MHz
	เวลาตอบสนอง	ตร	---	3	18	ไมโครวินาที	VCE=10V ไอซี=2mA RL=100Ω
	เวลาลง	ถึง	---	4	18	ไมโครวินาที	VCE=10V ไอซี=2mA RL=100Ω

อัตราการแปลงปัจจุบัน = IC / IF × 100%

ตารางอันดับของอัตราส่วนการโอนปัจจุบัน CTR

หมายเลขรุ่น	อันดับ CTR	ขั้นต่ำ	สูงสุด	สภาพ	หน่วย
หรือ-3H4	ไม่มีเครื่องหมาย	20	400	ถ้า=±1mA, VCE=5V, ตา=25℃	%
	อ	50	250
	ข	100	400
	ค	100	200
	GR	100	300	ถ้า=±5mA, VCE=5V, ตา=25℃
	GR	100	300	ถ้า=±0.5mA, VCE=5V, ตา=25℃

อัตราการแปลงปัจจุบัน = IC / IF × 100%

หรือ -3H4W-X-Y-Z

หมายเหตุ

W = อันดับ CTR (A, B, GR หรือไม่มีเลย) X = ตัวเลือกเทปและรีล (TP หรือ TP1)

Y = รหัส 'V' เพื่อความปลอดภัย VDE (ตัวเลือกนี้ไม่จำเป็น) รหัส Z = 'G' สำหรับปราศจากฮาโลเจน

* สามารถเลือกรหัส VDE ได้

ตัวเลือก	คำอธิบาย	ปริมาณการบรรจุ
TP	รูปแบบตะกั่วแบบยึดบนพื้นผิว (โปรไฟล์ต่ำ) + ตัวเลือกเทปและม้วน TP	3000 หน่วยต่อม้วน
TP1	รูปแบบตะกั่วแบบยึดบนพื้นผิว (แบบต่ำ) + ตัวเลือกเทปและรอก TP1	3000 หน่วยต่อม้วน

กฎการตั้งชื่อ

ใช้เกรดโฟโตคัปเปลอร์ออปโตคัปเปลอร์ OR-3H4-EN-V12 1}

ผู้ผลิต : โอเรียนท์.
หมายเลขชิ้นส่วน : 3H4.
รหัสอันดับ ： อันดับ CTR
รหัสปี ： '0' หมายถึง '2020' และอื่นๆ
รหัสสัปดาห์ ： 01 หมายถึงสัปดาห์แรก 02 หมายถึงสัปดาห์ที่สองและอื่นๆ
รหัส VDE (ไม่บังคับ)
รหัส HF 'G': ปราศจากฮาโลเจน
แอโนด

สามารถเลือกรหัส

* VDE ได้

มิติด้านนอก

ใช้โฟโตคัปเปลอร์เกรด OR-3H4-EN-V 12

รูปแบบการพิมพ์รอยเท้าที่แนะนำ (แผ่นยึด) (หน่วย ： มม.)

ใช้โฟโตคัปเปลอร์โฟโตคัปเปลอร์เกรด OR-3H4-EN-V12

ใช้ออปโตคัปเปลอร์โฟโตคัปเปลอร์เกรด OR-3H4-EN -V12

ขนาดการแตะ

(1)หรือ-3H4-TP

(2)หรือ-3H4-TP1

ใช้ ออปโตคัปเปลอร์โฟโต้ทรานซิสเตอร์เกรด OR-3H4-EN-V12

ประเภท	สัญลักษณ์	ขนาด: มม. (นิ้ว)
แบนด์วิดท์	กว้าง	12±0.3 (0.47)
ระดับเสียง	P0	4±0.1 (0.15)
ระดับเสียง	ฉ	5.5±0.1 (0.217)
ระดับเสียง	P2	2±0.1 (0.079)
ช่วงเวลา	P1	8±0.1 (0.315)

ประเภทการห่อหุ้ม	TP/TP1
จำนวน (ชิ้น)	3000

มิติข้อมูลแพ็กเกจ

ข้อมูลการบรรจุ
ประเภทการบรรจุ	ประเภทรอก
ความกว้างของเทป	12 มม.
จำนวนต่อม้วน	3,000 ชิ้น
ขนาดกล่องเล็ก (ด้านใน)	34534545 มม.
กล่องใหญ่ (ด้านนอก) ขนาด	480x360x360มม.
จำนวนสูงสุดต่อกล่องเล็ก	6,000 ชิ้น
จำนวนสูงสุดต่อกล่องใหญ่	60,000 ชิ้น

ตัวอย่างฉลากบรรจุภัณฑ์

ใช้โฟโต้ทรานซิสเตอร์ออปโตคัปเปลอร์เกรด OR-3H4-EN-V12

หมายเหตุ：

รหัสวัสดุ :รหัสผลิตภัณฑ์
P/N :เนื้อหาที่มี "ข้อมูลคำสั่งซื้อ" ในข้อกำหนด
Lot No. :ข้อมูลผลิตภัณฑ์
D/C :สัปดาห์ผลิตภัณฑ์
ปริมาณ :ปริมาณบรรจุภัณฑ์

การทดสอบความน่าเชื่อถือ

โปรไฟล์อุณหภูมิของการบัดกรี

การบัดกรีแบบรีโฟลว์แบบ IR (เป็นไปตามมาตรฐาน JEDEC-STD-020C)

แนะนำให้ใช้การบัดกรีแบบรีโฟลว์ครั้งเดียวภายใต้เงื่อนไขของโปรไฟล์อุณหภูมิและเวลาที่แสดงด้านล่าง อย่าบัดกรีเกินสามครั้ง

รายการโปรไฟล์	เงื่อนไข
เปิดเครื่อง อุณหภูมิต่ำสุด (T Smin ) อุณหภูมิสูงสุด (T Smax ) - เวลา (นาทีถึงสูงสุด) (ts)	150˚C 200˚C 90±30 วินาที 2097}
โซนการบัดกรี - อุณหภูมิ (TL) } {01177777777777351}	217˚C 60 วินาที
อุณหภูมิสูงสุด	260˚C
เวลาอุณหภูมิสูงสุด	20 วินาที
อัตราการเพิ่ม	สูงสุด 3°C / วินาที
อัตราการลาดลงจากอุณหภูมิสูงสุด	3~6˚C / วินาที
เวลาจัดเรียงใหม่	≤3

ใช้โฟโตคัปเปลอร์โฟโตคัปเปลอร์เกรด OR-3H4-EN-V12

การบัดกรีแบบคลื่น (ตามมาตรฐาน JEDEC22A111)

แนะนำให้บัดกรีครั้งเดียวภายใต้สภาวะอุณหภูมิ

อุณหภูมิ เวลา	260+0/-5˚C 10 วินาที
เปิดอุณหภูมิ เวลาอุ่นเครื่อง	25 ถึง 140˚C 30 ถึง 80 วินาที

ใช้โฟโตคัปเปลอร์โฟโตคัปเปลอร์เกรด OR-3H4-EN-V12

การบัดกรีด้วยมือด้วยหัวแร้ง

อนุญาตให้มีการบัดกรีด้วยตะกั่วเดี่ยวในทุกกระบวนการ แนะนำให้บัดกรีครั้งเดียว

อุณหภูมิ

380+0/-5˚C

เวลา

สูงสุด 3 วินาที